当全球碳化硅市场年复合增长率超过30%时,当新能源汽车、光伏产业急需大量碳化硅器件时,天岳先进的产能扩张战略正在成为缓解市场供需紧张的关键。这家中国碳化硅衬底龙头企业通过双基地协同发力和前瞻性技术布局,正在快速提升其碳化硅衬底产能,以满足英飞凌等全球功率半导体巨头日益增长的需求。
碳化硅作为第三代半导体材料,具有耐高温、耐高压、高频特性好等优势,在电动汽车、光伏、5G等产业领域应用价值显著。随着全球能源转型加速,碳化硅市场需求持续爆发,天岳先进的产能扩张不仅关乎企业自身发展,更影响着整个产业链的供应安全。
天岳先进正在实施双生产基地战略,济南和上海两大基地协同发力。济南基地专注于技术工艺优化和产能持续提升,而上海临港工厂则承担着大规模量产的重任。这种分工明确的布局确保了产能扩张的有序推进。
上海临港工厂的进展尤为引人注目。该工厂于2024年年中提前达成了年产30万片导电型衬底的产能目标,目前正在积极推进二阶段产能提升计划。这个投资25亿元的项目,*初规划产能为30万片/年,但通过优化生产工艺和调整设备,产能将扩大至每年96万片,增幅达220%。
济南基地同样不容小觑。位于槐荫区的"年产500吨碳化硅单晶基地"扩产能项目即将迎来投产,该项目可一次性解决5000台生长炉的扩产能需求,计划2025年5月进行生产设备安装调试、6月实现**生产设备投产试运营。
产能数字见证了天岳先进的快速增长。2024年,天岳先进的碳化硅衬底产量达到41.02万片,较2023年增长56.56%,销量为36.12万片,同比增长59.61%。截至2025年6月底,两大工厂合计设计产能已突破40万片。
这种产能扩张速度背后是巨大的市场需求支撑。天岳先进已与全球前十大功率半导体器件制造商中超过半数企业建立业务合作关系,且合作深度不断提升。与英飞凌签订的供应协议预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。
产能扩张离不开技术创新的支撑。天岳先进在大尺寸衬底技术方面取得显著突破。公司是全球少数具备8英寸碳化硅衬底量产能力的企业,且率先完成2英寸至8英寸碳化硅衬底的商业化落地。同时,公司也是行业内**推出12英寸碳化硅衬底的企业之一。
液相法技术布局彰显前瞻眼光。作为一种有潜力的碳化硅单晶制备新技术,液相法备受关注。天岳先进在该技术上布局多年,通过液相法制备出了低缺陷的8英寸晶体,通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题,这尚属业内首创。
晶体厚度突破助力产能提升。采用天岳先进*新技术制备的晶体厚度已突破60mm,这对提升产能具有重要意义。更厚的晶体意味着每根晶棒可以切割出更多的衬底,直接提高了单晶利用率和大尺寸单晶**制备能力。
研发投入持续加大保障技术**。2025年上半年,公司研发费用为7584.67万元,同比增加34.94%,这些资金主要用于大尺寸衬底产品技术攻关以及AR眼镜等新兴应用领域的拓展。持续的研发投入为产能扩张提供了坚实的技术基础。
技术迭代速度保持行业**。从天岳先进的技术进展来看,其产品迭代速度处于全球**梯队。这种快速迭代能力不仅有助于提升产能,更能确保产品性能和质量满足高端客户需求。
天岳先进的产能扩张与其全球化战略紧密相连。2025年8月,天岳先进H股成功在香港联合交易所挂牌上市,这成为公司推进全球化战略的关键一步。通过H股上市,公司将进一步加快海外业务布局,完善全球化营销与服务网络。
客户体系持续完善是产能消纳的保障。截至2025年6月底,公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中超过半数企业建立业务合作关系。这些优质客户资源为产能扩张提供了稳定的市场需求支撑。
深度合作案例不断涌现。2023年5月,天岳先进与英飞凌签订衬底和晶棒供应协议,为英飞凌提供150毫米碳化硅材料,并助力其向200毫米直径碳化硅晶圆过渡。2025年8月,公司与东芝电子元件达成基本协议,双方将围绕SiC功率半导体特性提升与品质改善开展合作。
新兴应用领域拓展加速。除传统功率半导体领域外,天岳先进积极布局碳化硅衬底的新兴应用场景。在光学领域,公司已与全球头部光学厂商建立合作并获得相关客户多个订单。2025年7月,公司与舜宇奥来微纳光学达成战略合作,共同推动碳化硅衬底在光学领域的应用落地。
**市场地位显著提升。**行业调研机构日本富士经济发布的报告显示,2024年全球导电型碳化硅衬底材料市场中,天岳先进以22.8%的市场占有率稳居全球第二。这一成绩充分证明了天岳先进在全球市场的竞争实力。
天岳先进的产能扩张不是孤立的行为,而是与整个碳化硅产业链协同发展。公司与下游客户建立了深度合作关系,如与英飞凌的合作不仅限于简单的供应关系,还包括技术协作和产能规划。
供应链稳定性备受关注。天岳先进通过产能扩张为全球功率半导体企业提供稳定的材料供应。英飞凌**采购官Angelique van der Burg表示,与天岳先进的协议有助于保证整个供应链的稳定。
产业生态建设逐步完善。天岳先进不仅关注自身产能扩张,还积极参与构建碳化硅产业生态。公司与上下游企业合作,共同推动碳化硅技术进步和应用拓展。
政策支持不可或缺。碳化硅产业作为半导体领域的重要组成部分,受到**政策的大力支持。天岳先进等碳化硅材料企业迎来快速发展的时机,获得了**集成电路产业投资基金等机构的投资支持。
人才培养与技术创新良性互动。天岳先进的技术优势源于持续的人才培养和技术创新。公司保持较高的技术研发投入,积极布局前瞻性技术,为产能扩张提供持续的技术动力。
产能扩张过程中,天岳先进也面临一些挑战。碳化硅晶体生长技术难度高,工艺复杂,产能提升需要克服诸多技术瓶颈。公司通过持续研发投入和技术创新来应对这些挑战。
市场竞争加剧是另一个挑战。随着碳化硅市场前景明朗,越来越多的企业进入这一领域。天岳先进通过保持技术**和产能优势,巩固市场竞争地位。
资金需求巨大是产能扩张的普遍难题。碳化硅产线投资规模大,技术更新快,需要持续的资金投入。天岳先进通过港股上市等方式增强融资能力,为产能扩张提供资金支持。
人才短缺可能制约发展速度。碳化硅领域专业人才稀缺,特别是高端技术人才和管理人才。公司需要建立完善的人才培养和引进机制,支撑产能扩张需求。
技术迭代风险需要密切关注。碳化硅技术仍在快速发展中,新的技术路线可能出现。天岳先进需要保持技术敏感度,及时调整技术方向和产能规划。
从天岳先进的产能扩张战略中,我们可以看到中国半导体材料产业的崛起轨迹。天岳先进通过精准的产能规划和布局,正在快速提升其在全球碳化硅市场的地位和影响力。
产能扩张不仅是数量的增长,更是质量的提升。天岳先进在扩大产能的同时,持续推动技术迭代和产品升级,从6英寸到8英寸再到12英寸衬底的布局,体现了质与量并重的发展思路。
全球化视野值得称道。天岳先进不仅关注国内市场,还通过港股上市和**合作,积极拓展全球市场。这种全球化布局有助于公司更好地参与**竞争,提升**竞争力。
产能扩张背后的技术驱动特征明显。天岳先进不是简单的规模扩张,而是以技术创新为支撑的有机增长。公司在液相法等前沿技术领域的布局,显示了长远的技术眼光。
从产业安全角度,天岳先进的产能扩张有助于保障中国碳化硅供应链安全。随着中国新能源汽车、光伏等产业的快速发展,对碳化硅器件的需求持续增长,天岳先进的产能扩张为下游产业提供了材料保障。
*后,我认为天岳先进的产能扩张模式为其他中国半导体企业提供了有益借鉴——通过技术创新驱动产能提升,依托国内市场拓展**空间,在全球半导体产业格局中争取更大话语权。
Q:天岳先进的碳化硅衬底产能具体有多大?
A:天岳先进拥有两大生产基地,产能持续快速扩张。上海临港工厂已达成年产30万片导电型衬底产能目标,正在推进二阶段产能提升计划。济南基地也在持续扩产,两大工厂合计设计产能已突破40万片。公司计划通过优化改造,将上海工厂产能提升至每年96万片。
Q:天岳先进的技术水平在**上处于什么地位?
A:天岳先进的技术处于全球**梯队。公司是全球少数具备8英寸碳化硅衬底量产能力的企业,也是行业内**推出12英寸碳化硅衬底的企业之一。2024年全球导电型碳化硅衬底材料市场中,天岳先进以22.8%的市场占有率稳居全球第二。
Q:产能扩张后,天岳先进的主要客户有哪些?
A:天岳先进已与多家全球**的功率半导体企业建立合作。公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中超过半数企业建立业务合作关系。具体客户包括英飞凌、博世集团等**巨头,并与东芝电子元件等企业达成合作协议。
**见解:
天岳先进的产能扩张战略实际上反映了中国半导体材料产业的整体进步。从技术追随到技术并行,再到某些领域的**,中国碳化硅产业正在经历质的飞跃。
值得注意的是,天岳先进的产能扩张具有明显的市场导向性。公司不仅扩大传统功率半导体用衬底产能,还前瞻性地布局光学等新兴应用领域。这种多元化的市场策略有助于平缓行业周期波动的影响。
从技术发展角度看,液相法技术可能成为游戏改变者。如果天岳先进能够在此领域取得突破并实现产业化,将显著提升晶体质量和生产效率,进一步强化其竞争优势。
*后,我认为天岳先进的港股上市是其产能扩张战略的关键一环。这不仅提供了资金支持,更重要的是为公司打开了**化发展的大门,有助于吸引全球人才和技术资源,支撑更大规模的产能扩张。
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