智能手机发热问题一直是困扰用户和厂商的难题,尤其在高性能芯片上更是如此。当你玩游戏或运行大型应用时手机发烫,不仅影响体验,还会导致性能下降。三星即将在Exynos 2600芯片上应用的HPB散热技术,正是为了解决这一痛点而生的创新解决方案。
HPB(Heat Path Block)是一种集成在芯片封装内部的**散热解决方案,其核心是在芯片与DRAM之间加入一层超薄的高导热铜合金材料。这种设计改变了传统芯片直接将DRAM置于SoC之上的结构,通过优化热传导路径来显著提升散热效率。
与传统的石墨片或均热板不同,HPB是封装级散热技术,它从芯片内部就开始管理热量,而不是等到热量产生后再进行处理。这种设计思路的转变,让散热效率得到了质的提升。
三星Exynos系列芯片过去一直因发热问题备受诟病,即使配备了均热板,仍难以解决持续过热的问题。随着Exynos 2600采用2nm工艺并追求更高性能,散热挑战更加严峻。
Exynos 2600采用“2+6”双丛集CPU架构,包含2个高性能Cortex-X核心和6个Cortex-A核心,*高频率达3.55GHz。这种高性能配置会产生大量热量,如果不加以控制,会导致芯片降频,影响性能发挥。HPB技术的引入,就是为了让芯片能够更长时间维持*高运行频率,避免因过热而降频。
HPB技术的优势主要体现在以下几个方面:
**热传导:铜合金材料具有出色的导热性能,能够快速将芯片核心区域产生的热量导出,防止热量积聚。
结构紧凑:HPB模块与DRAM等组件一体封装,不仅提升了热扩散效率,还能控制封装厚度和重量,非常适合智能手机内部空间有限的散热需求。
持久性能维持:通过改善散热表现,SoC能够在更长时间内维持*高主频运行,从而提供更稳定的性能输出。
与FOWLP技术结合:三星还在HPB顶部采用扇出型晶圆级封装(FOWLP)技术,进一步增强耐热性和多核性能。这种组合技术是**在移动芯片中应用。
根据泄露的测试数据,Exynos 2600原型芯片在Geekbench 6中的跑分为单核约2400分、多核约9400分。与搭载Exynos 2500的Galaxy S25+原型机(单核2359分/多核8141分)相比,性能提升幅度虽然有限,但通过HPB等散热技术的应用,Exynos 2600在量产时有望实现更高的稳定运行频率和更持久的峰值性能输出。
三星计划在2025年10月完成HPB方案在Exynos 2600上的质量测试,如果开发顺利将立即投入量产。这项技术有望在Galaxy S26系列手机的部分型号上得到应用,预计将在2026年初正式亮相。
个人观点:HPB技术代表了芯片散热设计的一种新思路,从被动散热转向主动 thermal 管理。这种创新不仅解决了实际问题,还可能引领行业技术发展方向。随着芯片性能不断提升,封装级散热技术可能会成为高端芯片的标准配置。
HPB技术的应用也反映了半导体行业的一个趋势:当制程工艺进步面临瓶颈时(如1.4nm以下工艺节点的推进进度不及预期),通过封装和散热等后道工艺的创新来提升SoC综合性能变得越来越重要。
对于用户来说,HPB技术带来的*直接好处是更凉爽的手机使用体验和更稳定的性能输出。这意味着即使长时间运行大型游戏或应用,手机也不会因为过热而降频或烫手,同时还能延长电池寿命和提高设备安全性。
技术创新从来都不是一蹴而就的。HPB技术在Exynos 2600上的应用效果如何,还需要实际量产后的验证。但可以肯定的是,这种专注于解决用户痛点的创新,正是推动行业不断向前发展的动力。
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