如何提升PHEV能效？安森美与舍弗勒的EliteSiC技术方案解析

你是否曾担心插电式混合动力汽车（PHEV）的续航里程不够用？或者担心电池损耗太快，维护成本高？这些痛点正是当前PHEV技术亟待突破的关键。*近，安森美（onsemi）与舍弗勒（Schaeffler）宣布扩大合作，基于安森美的EliteSiC碳化硅MOSFET技术，为全球**汽车制造商开发新一代PHEV平台，目标直指这些用户关切的核心问题。

这项合作的核心在于利用碳化硅（SiC）技术替代传统硅基IGBT，以提升主驱逆变器的效率和可靠性。与同类SiC解决方案相比，安森美的EliteSiC技术具有显著降低的导通损耗（相比同类产品降低20%）和卓越的抗短路能力，可实现紧凑、散热效率高的逆变器设计，从而提高整体系统性能。

一、EliteSiC技术的核心优势

安森美的EliteSiC MOSFET产品系列采用了行业**的超低导通电阻设计，这带来了两大核心优势：

能效显著提升：导通损耗的降低直接转化为更高的能量转换效率。在实际工况下，采用EliteSiC的逆变器系统能量转换效率可提升3-5%，这意味着车辆续航里程可增加约10%。

可靠性大幅增强：EliteSiC技术具有卓越的抗短路能力，相比传统方案，其抗短路能力提升3倍，系统故障率降低40%，维护周期可延长至10万公里。

这些优势使得舍弗勒能够开发出更紧凑、散热效率更高的逆变器设计，为整车厂提供更大的设计灵活性。

二、舍弗勒的主驱逆变器创新

作为全球**的驱动技术解决方案供应商，舍弗勒将其在机电系统领域的专业知识与安森美的半导体技术相结合，打造了创新的主驱逆变器系统：

紧凑型设计：基于EliteSiC的解决方案使逆变器体积缩小25%，这不仅节省了宝贵的车辆空间，还允许适配更多元化的车型平台。

系统级优化：舍弗勒的控制技术与安森美的SiC器件深度融合，实现了从“驱动导向、驱动传递到驱动控制”的全链条优化，为客户提供完整的电驱动解决方案。

热管理突破：改进的散热设计允许更高的功率密度和更稳定的高温性能，确保了系统在各种工况下的可靠性。

三、对PHEV市场的深远影响

这项合作标志着即使是在成本敏感的PHEV平台上，行业也在从传统的IGBT技术向更先进的碳化硅架构转型。这种转变将带来多重市场影响：

技术门槛提升：碳化硅技术的广泛应用将加速行业技术迭代，要求制造商具备更强的系统集成和热管理能力。

用户体验改善：用户将获得更长的续航里程、更短的充电时间（据估算可缩短30%）以及更低的维护需求。

成本结构变化：虽然前期投入较高，但系统级的优化和长期可靠性的提升将降低总体拥有成本。

四、未来展望与应用扩展

安森美与舍弗勒的合作不仅限于PHEV平台。基于在汽车领域的成功实践，双方正共同推动向800V直流供电架构转型，这将为下一代人工智能数据中心在能效、密度及可持续性方面带来显著提升。

这种技术扩展体现了碳化硅解决方案的广泛应用前景，从电动汽车到数据中心，**、可靠的功率转换技术正在成为多个行业的关键推动因素。

个人观点：安森美与舍弗勒的合作代表了半导体技术与传统机电系统深度融合的趋势。这种跨界合作不仅解决了当前PHEV的技术瓶颈，更为未来电动出行奠定了坚实基础。随着碳化硅技术的不断成熟和成本优化，我们有理由相信，**、可靠的电动出行将变得更加普及和可持续。