在5G和未来6G通信系统中,毫米波频段因其大带宽和高速率特性成为关键资源,但相位噪声问题一直是困扰工程师的核心难题。特别是振荡器的1/f闪烁噪声,会严重恶化通信系统的误码率和雷达系统的检测精度。传统LC振荡器在低频偏移处的相位噪声性能往往不尽如人意,而中国科学技术大学胡诣哲教授团队在JSSC 2023上发表的论文提出了一种创新的"栅源负相移技术",为这一挑战提供了突破性解决方案。
毫米波频段(通常指30GHz-300GHz)的振荡器设计面临多重挑战。随着频率升高,器件的固有噪声、寄生效应和工艺变异都会更加显著地影响性能。其中,1/f闪烁噪声(flicker noise) 的上转换问题尤为突出,它会导致靠近载波频率的相位噪声显著恶化,形成所谓的"1/f^3相位噪声拐角"。
为什么毫米波振荡器的flicker噪声如此难以抑制?这主要源于两个因素:首先,MOS晶体管栅氧界面处的陷阱电荷随机涨落会产生强烈的1/f噪声;其次,在正交振荡器结构中,幅度噪声到相位噪声的转换机制会被IQ路径的不匹配所加剧。传统方法如增大器件尺寸、使用PMOS负载等技术要么效果有限,要么会牺牲频率和功耗性能。
胡诣哲团队提出的"栅源负相移技术"是一种全新的flicker相噪抑制机理。其核心思想是引入特定的相位偏移,破坏幅度噪声到相位噪声的转换路径,从而显著降低近端相位噪声。
技术实现原理:
在交叉耦合对管的栅源之间引入可控的负相移
改变晶体管工作点的阻抗特性
抑制载波频率附近的噪声上转换过程
保持振荡器的起振条件和输出摆幅
这项技术的巧妙之处在于它不需要额外的功耗或面积开销,而是通过智能的电路设计来重塑噪声传递函数。实验结果显示,该技术将30GHz正交振荡器的1MHz相噪提升了13dB以上,实现了PN@1MHz < -110dBc/Hz的优异性能,同时保持IRR > 46dB。
在实际芯片测试中,采用栅源负相移技术的30GHz毫米波正交振荡器表现出色:
关键性能指标:
相位噪声:在1MHz偏移处低于-110dBc/Hz
闪烁噪声角(1/f^3 corner):降低至前所未有的水平
图像抑制比(IRR):大于46dB
功耗效率:在保持性能的同时未增加额外功耗
与现有技术相比,这一方案在多个维度都有显著提升。传统毫米波振荡器通常需要在相位噪声、功耗和面积之间做出妥协,而栅源负相移技术提供了更加优雅的解决方案。
对于希望在实际设计中应用这一技术的工程师,以下是关键实施步骤:
步骤一:电路拓扑选择
选择适合的正交振荡器结构,通常采用互补交叉耦合架构(同时使用NMOS和PMOS交叉耦合对)。这种结构本身具有更好的噪声性能和对称性。
步骤二:相位偏移元件设计
精心设计引入负相移的被动元件网络:
使用容性负载或传输线结构实现**的相移量
通过仿真优化相移值与噪声抑制效果的关系
考虑工艺变异对相移网络的影响
步骤三:联合优化与仿真
进行深入的协同仿真:
噪声仿真:使用周期稳态噪声分析(PNOISE)
稳定性分析:确保引入相移后振荡器仍能可靠起振
工艺角分析:覆盖所有工艺、电压、温度极端情况
步骤四:版图实现注意事项
保持严格的对称性,特别是IQ两条路径的匹配
对敏感节点施加充分的屏蔽和隔离
使用虚拟器件保证制造过程中的匹配性
栅源负相移技术的意义远不止于解决一个具体的电路设计问题。它代表了毫米波集成电路设计方法论的一个重要转变——从被动接受器件噪声特性到主动塑造噪声传递路径。
个人观点:
这项技术的出现填补了低flicker噪声LC类振荡器的"*后一块拼图",为下一代通信系统提供了关键使能技术。我认为,随着毫米波应用在5G-Advanced和6G中的进一步普及,这种智能噪声抑制技术将展现出更大价值。
更重要的是,这一思路可以扩展到其他类型的振荡器和频率综合器中,形成一系列低相位噪声技术方案。未来我们可能会看到:
基于类似原理的多核耦合振荡器噪声抑制技术
适用于太赫兹频段的噪声控制方法
与人工智能调谐结合的自适应噪声优化系统
从更广阔的视角看,这种"理解机理-创新方案-验证效果"的研究范式,正是中国集成电路设计从跟随走向引领的必由之路。胡诣哲教授团队的工作不仅解决了具体技术问题,更展示了深度创新所能带来的突破性进展。
**见解:
值得注意的是,这项研究在理论层面也做出了重要贡献——理清了长期困扰学界和业界的正交振荡器flicker相噪机理,并用简化的phasor图和容性负载解释和解决了IQ不确定性问题。这种理论与实践的双重突破,正是**研究的标志。
随着开源芯片设计和AI辅助设计的发展,这类创新技术将更快地普及到产业界,加速毫米波技术的商业化进程。预计未来3-5年内,基于类似原理的低相位噪声振荡器将成为高端通信设备的标配。
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